碳化硅MOSFET解决方案是实现智慧能源世界的重要一步。
依托丰富经验和兼容性技术专长，英飞凌推出革命性的CoolSiC™ MOSFET技术，可助力实现全新的产品设计。相比传统的硅开关（如IGBT和MOSFET）而言，碳化硅（SiC）功率MOSFET具有一系列优势。1700 V、1200 V和650 V的CoolSiC™ MOSFET产品瞄准的应用包括光伏逆变器、电池充电、储能、电机驱动、UPS（不间断电源）、辅助电源和SMPS等。
对于系统设计人员而言，碳化硅CoolSiC™ MOSFET技术意味着最佳性能、可靠性和易用性。碳化硅（SiC) 功率晶体管可为设计人员带来新的灵活性，助力实现前所未有的效率和可靠性。高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻的诸多改进。 英飞凌推出的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性及最佳可靠性。我们的产品系列采用分立封装，还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。碳化硅MOSFET功率模块提供三电平、四单元、半桥、六单元和升压配置。我们的碳化硅CoolSiC™ MOSFET系列包括：碳化硅MOSFET技术
CoolSiC™产品
